PECVD设备

PECVD管式炉的简介

PECVD管式炉又叫做等离子增强化学气相沉积(PECVD)的设备，是制造半导体器件和电池(电池片、正负极电池材料等)、晶体生长(石墨烯生长、砖石生长等材料)的重要工具之一。

PECVD系统是借助微波或射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在较低的温度下合成高质量的薄膜材料，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。

PECVD管式炉产品特性:

电源范围广;温度范围宽;溅射区域长;整管可调;精致小巧,性价比高;可实现快速升降温,是实验室生长薄膜石墨烯,金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等的好选择;也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。

PECVD管式炉主要由以下几个部分组成：

炉体：

炉体是PECVD管式炉的主体结构，通常采用高温合金材料制造，能够承受高温和高压。

加热系统：

加热系统是PECVD管式炉的核心部分，通常采用辐射加热方式，通过高温电热元件将电能转化为热能。

反应室：

反应室是PECVD管式炉的核心部件，它是一个密闭的、能够控制气氛的容器。反应室内部通常安装有热电偶和温度控制器。

微波或射频系统：

微波或射频系统是PECVD管式炉的重要部分，用于产生等离子体，增强化学反应。

气体系统：

气体系统是PECVD管式炉的重要组成部分，用于控制气体的流入和流出，保证化学反应的顺利进行。

控制系统：

控制系统是PECVD管式炉的关键部分，用于控制设备的运行和化学反应的过程。

安全保护系统：

安全保护系统用于确保设备运行的安全性和稳定性。

PECVD非晶硅沉积速率快，可实现原位掺杂，将沉积工艺总时间控制在35分钟以内。虽然PECVD也会在硅片侧面及电池正面边缘区产生轻微的绕度区，但是易于去除。此外，PECVD的非晶硅仅沉积在石墨舟上，可定期清理，无需石英管耗材。