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氮化硅粉体(DPF)烧结炉
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氮化硅粉体(DPF)烧结炉

  • 热场/炉膛:陶瓷纤维炉膛,石墨炉膛
  • 加热元件:石墨
  • 最高温度/工作温度:1800℃/≤1750℃,2400℃/≤2300℃
  • 真空度:高真空,低真空
  • 气氛条件:惰性气氛(N2、CO2、Ar2等)
  • 适应单位:高等院校、科研单位等。
  • 应用行业:碳化硅陶瓷无压烧结、重结晶碳化硅陶瓷烧结、氮化铝陶瓷烧结、高性能陶瓷基板烧结、对收缩尺寸成品密度一致性要求高的精密陶瓷烧结、粉末冶金烧结或其他金属材料和非金属材料的高温真空烧结。
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氮化硅粉体烧结炉产品简介

氮化硅粉体烧结炉,也叫做碳化硅烧结炉,用于SiC陶瓷制品的反应烧结、无压烧结、重结晶烧结、热等静压烧结,也可用于氮化硅等其他陶瓷制品的烧结。该设备最高温度可达1800℃,具有排胶、除尘系统,排胶烧结一次完成。

碳化硼陶瓷无压烧结炉

氮化硅粉体(DPF)烧结炉(石墨炉膛)

重结晶碳化硅陶瓷烧结炉

氮化硅粉体(DPF)烧结炉(氧化铝炉膛)

配有真空系统,抽出炉膛内的空气后,充入经过脱氧脱水的高纯氮气,在氮气保护下对产品进行烧结。生纯氮化硅微粉,可实现氮气与硅粉的充分完全反应,, 出粉率可达到 92%。

氮化硅粉体烧结炉产品特点

陶瓷纤维炉膛或者石墨炉膛,最高温度可达到 1800 度和2400度。

根据加热区长度,可多温区控制,确保整个温场的均匀一致性。

炉底采用高强度氧化铝空心球砖,且设计有装料车轨道,可方便的把物料装入炉内。

双级旋片机械泵抽真空,真空度可达 10Pa。

特殊的气路设计。高纯氮气经过脱氧脱水处理,经由气路进入炉体,再经延伸至炉膛的排气口排出,可确保氨气在炉膛内进行有效的循环。

滑道式炉胆设计,可方便的抽出检修。

可选配件:

氮化硅料盒。

氮化硅炉底衬板。

技术参数

氧化铝炉膛使用温度1700℃,最高可达到1800℃!

型号加热区温度功率电源
BR-GHM-223200*200*300500-1800℃45kW380V
BR-GHM-334300*300*400500-1800℃60kW380V
BR-GHM-446400*400*600500-1800℃90kW380V
BR-GHM-557500*500*700500-1800℃150kW380V
BR-GHM-669600*600*900500-1800℃180kW380V

石墨炉膛使用温度2200℃,最高可达到2300℃!

型号

加热区

温度

功率

电源

BR-22GVF-223

200*200*300

2200℃

45kW

380V

BR-22GVF-334

300*300*400

2200℃

60kW

380V

BR-22GVF-446

400*400*600

2200℃

90kW

380V

BR-22GVF-557

500*500*700

2200℃

150kW

380V

BR-22GVF-669

600*600*900

2200℃

180kW

380V

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